固体电子学研究与进展杂志社
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《固体电子学研究与进展》2021年04期

 
 目录
三维集成射频微系统(专栏)
基于TSV技术的硅光转接板器件的研究王书晓;刘雨菲;孙嘉良;宋若谷;岳文成;余明斌;蔡艳;241-245
面向异质集成的Au-Sn、Au-In晶圆级键合吴焱;刘鹏飞;姜理利;246-250+290
器件物理与器件模拟
表面电荷对GaN基HEMT器件输运特性影响的研究潘传真;陈鹏;徐儒;丰建波;赵红;施毅;张荣;郑有炓;251-257
新型双层外延水平沟道恒流二极管结构的优化研究马飞;贵向泉;258-263+273
射频微波与太赫兹
电流体打印制备非晶In-Zn-O线型场效应晶体管杜晓松;沈秋华;264-267
基于SiGe BiCMOS工艺的宽带有源矢量合成移相器浦鈺钤;沈宏昌;童伟;268-273
光电子学
热注入法制备的钕掺杂蓝光钙钛矿量子点王新军;杨勇;胡鹏;王向华;274-278+312
Ge基钙钛矿太阳能电池的数值模拟研究宁维莲;李玉霞;甘永进;覃斌毅;蔡文峰;杨瑞兆;蒋曲博;279-284
硅微电子学
低杂散、低相噪的电荷泵锁相环设计蒲明臻;赵宏亮;鲜卓霖;廖奎旭;孙宝琛;李旺;285-290
基于FPGA的毫米波雷达信号处理系统设计周洲;刘元;陈光胜;石春琦;张润曦;291-298
一种数字信号处理器的单粒子翻转加固设计薛海卫;沈婧;王进祥;魏敬和;299-303
基于JESD204B的多通道数据同步传输设计与验证徐潇迪;郭轩;周磊;季尔优;武锦;304-308
材料与工艺
InGaAs的荧光性质与生长温度的关系研究高汉超;王伟;于海龙;马奔;尹志军;李忠辉;309-312
SiC MOSFET阈值电压漂移评测方法研究吴维丽;刘奥;郭锐;313-318
低应力掺钪氮化铝薄膜制备技术研究王雷;王冬蕊;沈雁飞;姜理利;郁元卫;黄旼;319-322
研究简讯
新能源汽车用1200V/600 A SiC功率模块李士颜;牛利刚;陈谷然;刘强;黄润华;柏松;杨勇;323
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