目录
宽禁带半导体
漏电低短路能力强的3300 V IGBT模块高东岳;叶枫叶;张大华;骆健;高晋文;81-85+98
基于F类和逆F类的双模式双频带功率放大器杨飞;殷康;于洪喜;刘瑞竹;86-92
器件物理与器件模拟
14 nm SOI FinFET器件单粒子瞬态的复合双指数电流源模型刘保军;张爽;李闯;93-98
三角量子阱中磁极化子的Zeeman效应和Rashba效应梁雄;单淑萍;99-103
射频微波与太赫兹
基于0.25μm InP DHBT工艺的340 GHz放大器李茂;孙岩;陆海燕;周浩;程伟;戴姜平;王学鹏;陈堂胜;104-108+162
基于InP DHBT的K波段高线性功率放大器许鑫东;郭润楠;张斌;109-113
基于PIN管的波束可重构双频反射阵列天线牛连生;陆倩;花磊;于映;114-118
C波段超宽带微型LTCC带通滤波器设计施超;叶强;罗昌桅;119-123
基于三维集成技术的X波段下变频模块电路的研制李昱坤;钱兴成;潘碑;葛振霆;宋俊欣;124-129
硅微电子学
基于SOI射频开关和电容阵列的天线调谐器单春燕;卢新民;蒋东铭;钱峰;周猛;130-134
一种低压音频放大器的设计韩前磊;时晨杰;孔祥艺;黄立朝;135-140
重离子单粒子辐射对超薄栅氧化层可靠性影响分析何玉娟;雷志锋;张战刚;章晓文;杨银堂;141-145
材料与工艺
GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究刘丽媛;郑林挺;石高明;林晓玲;来萍;陈选龙;146-149+162
正晶向SiC衬底上表面光滑的N极性GaN薄膜材料的生长沈睿;李传皓;李忠辉;彭大青;张东国;杨乾坤;罗伟科;150-156
基于喷墨打印银基无颗粒油墨的柔性电极王宗辉;田志明;李明星;严静;方玉明;李若舟;于映;157-162
研究简讯
增强型硅基氮化镓p沟道晶体管器件王登贵;周建军;张凯;胡壮壮;孔月婵;陈堂胜;163