目录
宽禁带半导体
GaN HFET中的能带峰势垒和跨导崩塌薛舫时;杨乃彬;陈堂胜;163-169
基于EBG封装技术的E波段功率合成放大器研究吉小莹;朱翔;孙健健;成海峰;170-176
器件物理与器件模拟
基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟陕宇皓;刘延飞;郑浩;彭征;177-183
InP/InGaP/GaAsSb/InGaAsSb/InP双异质结双极晶体管设计刘涛;刘燚;王冯涛;184-190+219
射频微波与太赫兹
4英寸fmax=620 GHz的0.25 μm InP DHBT戴姜平;常龙;李征;王学鹏;林浩;程伟;191-195
基于InP HBT工艺的C波段高谐波抑制有源三倍频器MMIC姚露露;刘尧;潘晓枫;程伟;王学鹏;196-200
小型化滤波放大器三维集成设计王磊;白锐;魏少伟;张韶华;201-206
硅微电子学
一种大电流DDR终端线性稳压器的设计夏晓娟;庄玉成;易磊;杨琨;207-213
一种超高速宽带运算放大器的设计杨阳;徐佳丽;黄治华;214-219
一种低功耗、高精度四象限模拟乘法器电路施建磊;孔祥艺;章宇新;韩前磊;吴舒桐;220-224
SOI器件的kink效应研究王青松;彭宏伟;黄天;杨正东;朱少立;徐大为;225-229
材料与工艺
分子束外延GaAs基M-HEMT与Si基HEMT材料研究马奔;沈逸凡;王伟;于海龙;尹志军;高汉超;李忠辉;230-233+238
栅结构缺陷对GaN HEMT器件性能影响的研究邵国键;陈正廉;林罡;俞勇;沈杰;陈韬;刘柱;234-238
4H-SiC深槽刻蚀及其形貌的改善董志华;刘辉;曾春红;张璇;孙玉华;崔奇;程知群;张宝顺;239-243
IGBT模块超声检测缺陷判据研究李聪成;王刚明;牛利刚;刘杰;高俊开;244-250
研究简讯
基于干法转移的柔性碳纳米管射频晶体管器件严可;杨扬;霍帅;张勇;王元;李忠辉;251