固体电子学研究与进展杂志社
首页 > 最新目录
 
/ / /
 

《固体电子学研究与进展》2022年05期

 
目录
宽禁带半导体
比导通电阻2.3 mΩ·cm2的650 V,200 A碳化硅功率MOSFET器件李飞飞;陈谷然;应贤炜;黄润华;栗锐;柏松;杨勇;341-346
器件物理与器件模拟
一种具有低EMI噪声的低阻空穴路径IGBT成建兵;刘立强;周嘉诚;吴家旭;李瑛楠;347-351
基于埋层结构的高压功率MOS器件终端设计宋迎新;马捷;侯杰;孙德福;刘进松;李泽宏;任敏;352-356
射频微波与太赫兹
AlGaAs/GaAs PIN超宽带微波毫米波单刀三掷开关章军云;齐志央;凌志健;尹志军;王溯源;李信;王学鹏;陈堂胜;357-362
一种应用于24 GHz毫米波雷达系统的低功耗中频信号处理电路冯凯;石春琦;张旭;陈光胜;张润曦;363-370
基于人工表面等离子体激元的超宽带带通滤波器张胜;王宁宁;宋建宇;黄若琳;王俊;唐守峰;371-375+411
金属柜环境中的均匀场分布赋形阵列天线夏志坚;蔡潇;文舸一;376-381
基于硅基板专用TAP控制器的Chiplet测试电路蔡志匡;周国鹏;宋健;王子轩;肖建;郭宇锋;382-387
硅微电子学
宽电源范围的高精度振荡器设计技术研究郭仲杰;杨佳乐;韩晓;白若楷;石昊;388-392+399
一种新型阻变存储器1T2R存储单元许永康;鲍嘉明;陈瑞隆;戴澜;393-399
微纳米技术
基于复眼微结构的柔性压力传感器制备及测试胡瑞明;400-404
静电微执行器拓宽行程范围技术的研究进展费宏欣;方玉明;吴旭鹏;蔡滕;赵江;李若舟;405-411
材料与工艺
碳化硅功率MOSFET的阈值和开关响应的辐射损伤对比冯皓楠;杨圣;梁晓雯;孙静;张丹;蒲晓娟;余学峰;412-416
强迫风冷环境下SiP模块的结温预测方法研究王熙文;裴晓芳;孙廷孝;沈仕奇;张琦;417-421+428
TPS61322集成式升压DC-DC电源变换器的总剂量效应研究徐锐;周东;刘炳凯;李豫东;王信;刘海涛;文林;郭旗;422-428
成果简讯
基于3D-SiP集成技术的新型微波模块潘碑;葛振霆;陈鹏鹏;柳超;陈静;邵登云;刘霆;李宇轩;429
点击在线投稿

 
 
 

(c)2008-2018 学术规划网

 

本站产品最终解释权归NDHX.NET

 

免责声明:本站仅限于整理分享学术资源信息及投稿咨询参考;如需直投稿件请联系杂志社;另涉及版权问题,请及时告知!